Laterally diffused metal oxide semiconductor transistors on ultra-thin single-crystalline silicon

Ali Asif
In dieser Arbeit werden die Integration und Optimierung von Lateral Diffundierten Metall-Oxid-Halbleiter (LDMOS)-Transistor-Strukturen auf ultra-dünnen (20 µm) ChipfilmTM Substraten vorgestellt. Die Eigenschaften dieser extrem flach ausgeführten LDMOS-Transistoren werden mithilfe der Simulationswerkzeuge Atlas und Athena von Silvaco eingestellt, optimiert und im Hinblick auf die Einflüsse von Prozessparameterschwankungen untersucht. Der Herstellungsprozess der Chipfilm™-Substrate beginnt mit einem herkömmlichen Bulk-Silizium-Wafer der an der Oberfläche eine 1-2 µm tiefe p+-Schicht erhält. Darauf wird eine epitaktischen Schicht gewachsen, mit der die...
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