Пикосекундное переключение высоковольтных карбид-кремниевых диодов в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя

Михаил Иванов
Теоретически оценены параметры переключения карбид-кремниевых диодных обострителей высоковольтных импульсов, основанных на явлении задержанного лавинного пробоя. Расчет проведен с помощью аналитической теории сверхбыстрой волны ударной ионизации, пробег которой заполняет структуру неравновесными носителями. Показано, что время переключения структуры из блокирующего состояния в проводящее состовляет ~ 10 пс, что на порядок быстрее переключения аналогичной кремниевой структуры, а концентрация созданной фронтам электронно-дырочной плазмы больше на два порядка.
This data center is not currently reporting usage information. For information on how your repository can submit usage information, please see our Documentation.