ОБРАЗОВАНИЕ ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В НЕРАВНОВЕСНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ

Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян & М.С. Коваленко
Образование радиационных дефектов приводит к изменению электрофизических, оптических и других свойств полупроводниковых приборов. Моделирование этого процесса с учетом неравновесного состояния электронной подсистемы является актуальной задачей, не получившей завершенного решения в настоящее время. В работе на основе численного моделирования проанализировано влияние положения в запрещенной зоне квазиуровня Ферми электронов на зависимость линейной скорости генерации междоузельного кремния и дивакансий в кремнии, облученном протонами. Рассчитаны профили распределения междоузельного кремния, вакансий, дивакансий, созданных низкоэнергетическими протонами в кремнии. Из полученных результатов...
This data repository is not currently reporting usage information. For information on how your repository can submit usage information, please see our documentation.