Исследование эффекта переключения в тонких пленках материала фазовой памяти Ge2Sb2Te5

Глухенькая В. Б.
В ходе проведения исследовательской работы был разработан аппаратно-технический комплекс, позволяющий исследовать эффект переключения с памятью в режиме постоянного и импульсного напряжения. По результатам измерений было установлено, что величина порогового напряжения переключения не превышает 1 В, длительность перехода материала Ge2Sb2Te5 из высокоомного в низкоомное состояние составляет ~ 20 нс, а время переключения варьируется от 180 до 240 нс. Полученные результаты носят прикладной характер и могут быть использованы для повышения энергоэффективности РСМ-устройств.
This data center is not currently reporting usage information. For information on how your repository can submit usage information, please see our Documentation.