Исследование локального транспорта и спектроскопии одномерных проводников методиками сканирующей зондовой микроскопии

А.А. Жуков, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, Th. Schaepers & А.А. Елисеев
Исследованы особенности локального транспорта в одно и квазиодномерных структурах методом измерения магнитотранспорта в присутствии сканирующего затвора атомносилового микроскопа (scanning gate microscopy). Продемонстрировано влияние волн зарядовой плотности, а также прозрачности потенциальных барьеров вблизи интерфейса металлполупроводник на электронный транспорт в нанопроволоках InAs. Кроме того, показана возможность измерения спектроскопии и работы выхода в углеродной нанотрубке при измерении топографии в режиме тэппинга.
This data repository is not currently reporting usage information. For information on how your repository can submit usage information, please see our documentation.