Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs using Activation Energy Maps

Katja Anna Waschneck
Mikroelektronische Schaltungen bilden den Kern elektronischer Bauteile und finden verstärkt Anwendung in der Automobilelektronik beispielsweise in der Fahrsicherheit, Fahrassistenz und inKontrollmodulen des Antriebsstranges. Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor ist daszentrale Bauteil in diesen digitalen sowie analogen integrierten Schaltungen. Mittels des Feldeffekts können Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Ströme ein- und ausschalten oder verstärken.Die Zuverlässigkeit der MOSFETs muss über die vorgesehene Lebensdauer hinweg garantiert werden. Die Herausforderungen für die Zuverlässigkeit vergrößern sich nicht nur mit zunehmender Miniaturisierung und erhöhten Stressfeldern innerhalb der Schaltungen...
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