Advanced electrical characterization of charge trapping in MOS transistors

Bernhard Stampfer
Der Metall-Oxid-Halbleiter Feldeffekttransistor (MOSFET) ist der Grundbaustein integrierter Schaltungen und damit der meisten modernen elektronischen Geräte. Er gilt als eine Schlüsseltechnologie und hatte maßgeblichen Anteil an der kulturellen, gesellschaftlichen und wirtschaftlichen Entwicklungen der letzen Jahrzehnte. In Anbetracht dessen ist es nicht verwunderlich, dass zu dessen Verbesserung ein enormer Aufwand betrieben wird. Ein wesentlicher Aspekt in der Leistung und Zuverlässigkeit dieser Bauteile sind unvermeidbare Defekte auf atomarer Ebene, die während der Herstellung oder des Betriebs entstehen....
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