Charakterisierung von CVD/ALD Schichten mit Impedanzsensorik

K. Hasche, M. Hintz, S. Völlmeke, A. Steinke & I. Tobehn
Am CiS entwickeln wir eine zerstorungsfreie und letztendlich auch beruhrungsfreie Methode, CVD und ALD Schichten, wie sie z.B. im Herstellungsprozessen der Halbleiterindustrie etabliert sind, im Herstellungsprozess zu monitoren und sie bezuglich ihrer Dicken bzw. relativen Permittivitaten zu scannen. Hierzu verwenden wir modifizierte Interdigitalstrikturen mit wenigen μm Abstand, deren Herstellung das CiS schon lange beherscht – z.B. zur Produktion von Feuchtesensoren.