Charakterisierung von CdTe-Schichten für die Anwendung als Röntgendetektor

Adrian Vogt
Das Ziel dieser Arbeit war die Untersuchung von CdTe-Schichten auf Ihre Eignung zur Detektion von ionisierender Strahlung. Die Herstellung der Schichten erfolgte in einer Molekularstrahlepitaxie-Anlage unter UHV-Bedingungen. Ziel der Versuche war die Entwicklung einer Methode zur Herstellung großflächiger effizienter Halbleiterröntgendetektoren ohne die Begrenzungen bei der Verwendung von Volumenkristallen als Sensormaterial. Das Wachstum direkt auf der Ausleseelektronik wurde erfolgreich durchgeführt und ein photonenzählender bildgebender Detektor konnte hergestellt werden. Dies konnte über die Kontaktierung mithilfe einer Te-dotierten...
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